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SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT
MODE VERTICAL DMOS FET
ISSUE 3 - JANUARY 1996
BS250F
PARTMARKING DETAIL ? MX
D
G
S
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
SOT23
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Continuous Drain Current at T amb =25°C
Pulsed Drain Current
Gate Source Voltage
Power Dissipation at T amb =25°C
Operating and Storage Temperature Range
SYMBOL
V DS
I D
I DM
V GS
P tot
T j :T stg
VALUE
-45
-90
-1.6
± 20
330
-55 to +150
UNIT
V
mA
A
V
mW
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T amb = 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.
Drain-Source
Breakdown Voltage
Gate-Source Threshold
Voltage
Gate-Body Leakage
BV DSS
V GS(th)
I GSS
-45
-1
-70
-3.5
-20
V
V
nA
I D =-100 μ A, V GS =0V
I D =-1mA, V DS = V GS
V GS =-15V, V DS =0V
Zero Gate Voltage Drain
Current
I DSS
-0.5. μ A
V DS =-25V, V GS =0V
Static Drain-Source On-State
Resistance (1)
Forward Transconductance
(1)(2)
Input Capacitance (2)
Turn-On Delay Time (2)(3)
Rise Time (2)(3)
Turn-Off Delay Time (2)(3)
Fall Time (2)(3)
R DS(on)
g fs
C iss
t d(on)
t r
t d(off)
t f
9
90
25
14
10
10
10
10
?
mS
pF
ns
ns
ns
ns
V GS =-10V,I D =-200mA
V DS =-10V,I D =-200mA
V DS =-10V, V GS =0V,
f=1MHz
V DD ≈ -25V, I D =-200mA
(1) Measured under pulsed conditions. Width=300 μ s. Duty cycle ≤ 2% (2) Sample test.
(3) Switching times measured with 50 ? source impedance and <5ns rise time on a pulse generator
Spice parameter data is available upon request for this device
3 - 55
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